Glavne razlike između N-tipa i P-tipa monokristalnih silikonskih pločica za solarne fotonaponske
Glavne razlike između N-tipa i P-tipa monokristalnih silikonskih ploča za solarne fotonaponske sisteme
Pločice monokristalnog silicija imaju fizikalna svojstva kvazimetala, sa slabom vodljivošću, a njihova vodljivost raste s porastom temperature. Također imaju značajna svojstva poluvodiča. Dopiranjem ultračistih monokristalnih silicijskih pločica malim količinama bora, vodljivost se može povećati kako bi se formirao silicijski poluvodič P-tipa. Slično, dopiranje malim količinama fosfora ili arsena također može povećati vodljivost, tvoreći silicijski poluvodič N-tipa. Dakle, koje su razlike između P-tipa i N-tipa silicijskih pločica?
Glavne razlike između P-tipa i N-tipa monokristalnih silikonskih pločica su sljedeće:
Dopant: u monokristalnom siliciju dopiranje fosforom čini ga N-tipom, a dopiranje borom čini ga P-tipom.
Vodljivost: N-tip je elektron-provodljiv, a P-tip je rupno-vodljiv.
Izvedba: Što je više fosfora dopirano u N-tip, to je više slobodnih elektrona, veća je vodljivost i niži otpor. Što je više bora dopirano u P-tip, to se više rupa stvara zamjenom silicija, to je veća vodljivost i manji otpor.
Trenutno su silicijske pločice P-tipa glavni proizvodi u fotonaponskoj industriji. Silicijske pločice tipa P jednostavne su za proizvodnju i niske su cijene. Silicijske pločice N-tipa obično imaju duži životni vijek manjinskih nositelja, a učinkovitost solarnih ćelija može se povećati, ali proces je kompliciraniji. Silicijske pločice N-tipa dopirane su fosforom, koji je slabo topiv u siliciju. Tijekom izvlačenja štapa, fosfor nije ravnomjerno raspoređen. Silicijske pločice P-tipa dopirane su borom, koji ima sličan koeficijent razdvajanja kao silicij, a jednolikost disperzije je lako kontrolirati.